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抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著. -- 大阪大学出版会, 2012. -- (大阪大学新世紀レクチャー . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2). <BB21537227>
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抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著. -- 大阪大学出版会, 2012. -- (大阪大学新世紀レクチャー . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2). <BB21537227>
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所蔵一覧 1件～1件（全1件）

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No. 巻号 配置場所 請求記号 資料ID コメント 状態 禁帯出区分 予約 Web書棚
0001 瀬田.本館2F開架 548.23/カヒテ 31305045181 一般 0件
巻号
所蔵館 瀬田
配置場所 瀬田.本館2F開架
請求記号 548.23/カヒテ
資料ID 31305045181
コメント
状態
禁帯出区分 一般
返却予定日
予約 0件
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書誌詳細

標題および責任表示 抵抗変化メモリの知的材料設計 / 笠井秀明, 岸浩史著
テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ
出版・頒布事項 吹田 : 大阪大学出版会 , 2012.9
形態事項 iv, 74p ; 21cm
巻号情報
ISBN 9784872592559
書誌構造リンク 大阪大学新世紀レクチャー||オオサカ ダイガク シンセイキ レクチャー <BB21207792> . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例||ケイサンキ マテリアル デザイン センタン ケンキュウ ジレイ ; 2//aa
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その他の標題 標題紙タイトル:Computational materials design, case study II
その他の標題 標題紙タイトル:Intelligent/directed materials design for resistance random access memory
その他の標題 背表紙タイトル:CMD II
注記 参考文献あり
NCID BB10165154
本文言語コード 日本語
著者標目リンク 笠井, 秀明(1952-)||カサイ, ヒデアキ <AU00402911>
著者標目リンク 岸, 浩史
キシ, ヒロフミ <>
分類標目 情報工学 NDC9:548.232
件名標目等 半導体記憶装置||ハンドウタイキオクソウチ
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